硅树脂压敏电阻MOV误差 上海来明电子供应

压敏电阻基本参数：7．电压温度系数：指在规定的温度范围（温度为20℃～70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1℃时，硅树脂压敏电阻MOV误差，压敏电阻器两端电压的相对变化。8．电流温度系数：指在压敏电阻器的两端电压保持恒定时，温度改变1℃时，硅树脂压敏电阻MOV误差，流过压敏电阻器电流的相对变化。9．电压非线性系数：指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，硅树脂压敏电阻MOV误差，其静态电阻值与动态电阻值之比。10．绝缘电阻：指压敏电阻器的引出线(引脚)与电阻体绝缘表面之间的电阻值。11．静态电容量（PF）：指压敏电阻器本身固有的电容容量。12.额定功率：在特定的环境温度85℃下工作1000小时，使压敏电压变化小于10%的最大功率。13.比较大冲击电流(8/20us):以特定的脉冲电流(8/20us波形)冲击压敏电阻器一次或两次（每次间隔5分钟），使的压敏电压变化仍在10%以内的比较大冲击电流。**压敏电阻脚间距一般为7.5mm或10mm。硅树脂压敏电阻MOV误差

压敏电阻的选用及注意事项：选用压敏电阻器前，应先了解以下相关技术参数：标称电压是指在规定的温度和直流电流下，压敏电阻器两端的电压值[1]。漏电流是指在25℃条件下，当施加比较大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8/20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值[1]。通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流[1]。浪涌环境参数包括比较大浪涌电流Ipm（或比较大浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的**小时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内，浪涌脉冲的总次数N等。 硅树脂压敏电阻MOV误差压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

压敏电阻器的晶相

ZnO压敏陶瓷是以Zn为主体添加若于其它氧化物改性的烧结体。氧化物添加剂除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界。ZnO是n型半导体，它是构成陶瓷的主晶相。其它氧化物除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界相。因此，ZnO半导体陶瓷是多相陶瓷。图，它们的化学式及各种相的掺杂。(1)ZnO相:构成ZnO半导体陶瓷的主晶相;由于Zn的填隙或者Co的溶入，使它具有n型电导特性，不同方法测试得到室温电阻率为()Ω·cm;ZnO晶粒对V-I特性的影响，尤其在大电流情况下，ZnO晶粒上产生的压降更有决定性影响。(2)尖晶石相:尖晶石相是不连续的，该相和ZnO以及富铋相在高温下并存，因此它对各相的分配起作用，使富铋相有个特定的组成。又由于它在ZnO晶粒边界凝结，能够抑制ZnO晶粒的生长。(3)焦绿石相:该相也是不连续的，主要是在高温烧结时与ZnO形成富铋相。(4)富铋相:富铋相溶有大量的ZnO和少量的Sb23，所以有助于液相烧结成陶瓷。又由于富铋相在晶界层中结晶后溶有大量的Zn和少量的SbMn和Co，所以富铋相有产生高α值的作用。

压敏电阻应用：压敏电阻的Zv与电路总阻抗（包括浪涌源阻抗Zs）构成分压器，因此压敏电阻的限制电压为V=VsZv/(Zs+Zv)。Zv的阻值可以从正常时的兆欧级降到几欧，甚至小于1Ω。由此可见Zv在瞬间流过很大的电流，过电压大部分降落在Zs上，而用电器的输入电压比较稳定，因而能起到的保护作用。图(3)所示特性曲线可以说明其保护原理。直线段是总阻抗Zs，曲线是压敏电阻的特性曲线，两者相交于点Q，即保护工作点，对应的限制电压为V，它是使用了压敏电阻后加在用电器上的工作电压。Vs为浪涌电压，它已超过了用电器的耐压值VL，加上压敏电阻后，用电器的工作电压V小于耐压值VL，从而有效地保护了用电器。不同的线路阻抗具有不同的保护特性，从保护效果来看，Zs越大，其保护效果就越好，若Zs=0，即电路阻抗为零，压敏电阻就不起保护作用了。图(4)所描述的曲线可以说明Zs与保护特性之间的关系。压敏电阻漏电流是指在25℃条件下，当施加比较大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。

压敏电阻的特性：正常Vcc电压是没问题的，但是，如果突然天空打雷闪电，刚好击中电网上，那么此时电网会产生一个很高的尖峰电压。虽然电网上会有防雷器，但是防雷器也是不能100%吸收掉所有尖峰的，那么是不是肯定还会有残留能量。如果这个残留尖峰电压超过470V，那么此时压敏电阻上的内阻，就会急剧变小的。此时就把这个尖峰电压给钳位了。如果有尖峰电压过来，压敏电阻钳位了这个尖峰电压，12V的Vcc电压，把雷电残留电压钳位在470V，合不合适呢？那这个电流是不是也很大？470V相当于没有钳位啊，该烧的都已经烧掉了，所以啊，压敏电阻存在一个选型问题了。 压敏电阻的响应时间为ns级。硅树脂压敏电阻MOV误差

25MM压敏电阻脚间距一般为10mm或12.5mm。硅树脂压敏电阻MOV误差

在压敏电阻器的应用过程中，当其出现性能劣化时，常见的劣化模式有两种，第一种是开路模式，第二种是短路模式。开路模式主要发生在MOV流过远远超出自身承受的浪涌电流时，通常表现为压敏电阻本体炸裂，但这种模式不会引起燃烧现象。短路模式大体上可分为老化失效和暂态过电压破坏两种类型。首先我们来看压敏电阻器的老化失效问题。这一问题主要指的是电阻体的低阻线性逐步加剧，此时漏电流将会恶性增加且集中注入薄弱点，导致薄弱点材料融化，形成一千欧左右的短路孔后，电源继续推动一个较大的电流灌入短路点，形成高热而起火。硅树脂压敏电阻MOV误差

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