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比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C过大将使信号衰减，北京SMBJTVSSMB。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。。。。TVS选型注意事项包括功率，北京SMBJTVSSMB，北京SMBJTVSSMB，封装，电压，通流量等。北京SMBJTVSSMB

齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。湖南P6KETVSSMATVS的失效模式通常为短路失效模式。

220V交流市电经整流滤波后变为高压直流供给开关变压器，此高压直流变化范围是240V～360V，而由于变压器漏感和引线电感的存在，关断过电压可以高达几千伏，功率开关管关断时难于同时承受这两种电压。综合考虑可以选用VWM等于200V左右的TVS，这样将关断过电压控制在300V以内，加上电源电压，功率开关管选用耐压为700V的管型即可。当功率开关管关断时，由于开关变压器线圈漏感的存在，会产生极高的反电势，有可能将功率开关管击穿。当在开关变压器一次侧并接上TVS管后，可以有效地吸收电压尖峰，保护功率开关管的安全，降低对功率开关管耐压的要求。

对于接口电路来说，为了保护我们的内部电路，都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS，而TVS是由二极管构成的，是二极管就会有结电容，结电容的大小会对信号造成一定的影响，特别是高速信号，而这里给出了建议的结电容大小，以使对信号的影响尽可能的降低，保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议：GPIO接口结电容＜30pF，pushbutton＜30pF，Audio＜10pF，USB2.0＜2.5pF，USB3.0＜0.5pF，USB3.1 gen2＜0.3pF，HDMI1.4＜0.7pF，HDMI2.0＜0.5pF，天线＜0.2pF。SMC封装的TVS功率比较大可做到8kW。

PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通，PN结加正向电压时导通，（1）PN结加正向电压时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。600W的TVS产品一般贴片为SMB封装或者插件DO-15封装。北京SM8STVS生产

TVS的正向导通特性类似于二极管的正向伏安特性，可通过较大的浪涌电流。北京SMBJTVSSMB

电子元器件制造业是电子信息产业的基础支撑产业。二十世纪九十年代起，通讯设备、消费类电子、计算机、互联网应用产品、汽车电子、机顶盒等产业发展迅猛，同时伴随着国际制造业向中国转移，中国大陆电子元器件行业得到了快速发展。随着电子元器件行业竞争的加剧，市场日趋饱和，粗放式管理的缺陷日益暴露，导致电子元器件行业企业利润不同程度的下滑，要想满足行业内客户个性化的需求，适应未来的发展，就需要不断提升提高企业自身管理水平以及键词竞争力。近年来，电子科技消费级应用领域的不断发展以及世界范围内人口消费水平不断提高，消费电子市场终端产品领域在市场容量和品类广度上不断发展延伸。随着居家办公及网课时代的到来，电子产品需求加大，带动我国电子元器件的需求持续增加。据资料显示，2020年，我国规模以上电子制造业主营业收入达12.1万亿元，同比增长8.3%。近几年顺应国家信息化企业上云、新旧动能转换、互联网+、经济政策等号召，通过大数据管理，充分考虑到企业的当前需求及未来管理的需要不断迭代，在各电子元器件行业内取得不俗成绩。企业在结合现实提供出解决方案同时，也融入世界管理先进管理理念，帮助企业建立以客户为中心的经营理念、组织模式、业务规则及评估体系，进而形成一套整体的科学管控体系。从而更进一步提高企业管理水平及综合竞争力。北京SMBJTVSSMB

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