热保护压敏电阻MOV保护 上海来明电子供应

氧化锌压敏电阻器的瓷体，属于半导体，包括了94％-98％的氧化锌和2-6％的添加剂(例如，氧化铋、氧化钴、氧化锰、氧化镍、氧化锑、氧化硼、氧化铬、氧化硅等氧化物)。但是，热保护压敏电阻MOV保护，氧化锌压敏电阻器的表面电阻率低和存在氧化物颗粒，热保护压敏电阻MOV保护，电镀时容易产生金属ni和sn镀在瓷体上，即产生“爬镀”现象，从而使两个端电极短路，导致变阻器成为导体。为避免爬镀现象的发生，一般需要对瓷体进行表面处理，使其表面绝缘化，且不易产生爬镀。玻璃包封工艺，是一种常用的表面处理技术，具体是先制备玻璃粉，以玻璃粉为主要成分加入有机添加剂等制备成玻璃浆料，然后通过喷涂设备对产品进行多面多次的喷涂方式在电子元器件上包覆一层绝缘玻璃层。这种方法工艺不仅繁琐、操作次数多，需要特定的喷涂设备和装置，而且在喷涂浆料的过程中，容易出现浆料流挂、不均匀的现象，导致后续电镀出现爬镀、烧结后产品外观出现凹坑、粘片、脱落等问题。高分子绝缘材料进行涂覆包裹的方法在实际生产中也需要特定的夹具和设备，操作要求高，对于小型化器件处理不利于操作。显然，这两种表面处理的使用方面受到了限制，并不适用于简单、批量化处理电子元器件，热保护压敏电阻MOV保护。5d（5mm）压敏电阻的通流量一般为400A，高焦耳产品通流量一般为10kA。热保护压敏电阻MOV保护

来明电子团队在电路保护领域深耕多年，从产品选型到技术支持提供一站式解决方案。我们可提供全系列MOV产品，包括贴片型MOV和插件型MOV产品。贴片型MOV产品封装涵盖0402至3220，另有贴片塑封型MOV产品，塑封型MOV产品尺寸有3225和4032的尺寸规格，该产品通流量对标7D和10D的MOV产品，电压可做到680V。插件型MOV产品从小尺寸5mm至25mm，大尺寸从32mm至53mm。我们也可以根据客户的要求，对MOV的电性（通流量）、脚型、尺寸等参数进行灵活定制，满足客户客制化要求。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性压敏电阻单体通流量可达到70KA甚至更高。

贴片压敏电阻体积小，节省空间大TVS二极管静电容量小，需要并联插入MLCC一起使用，这样就占用二个元件的面积，而贴片压敏电阻静电容量大，和TVS二极管、MLCC体积差不多，但只需要一个贴片压敏电阻就可以代替TVS二极管和MLCC这两个产品，节省空间。2、音频失真小TVS二极管有极性，的电流-电压特性(IV曲线)急剧升高，导致音频信号失真，而贴片压敏电阻无极性，其电流-电压特性IV曲线)升高幅度慢，更容易保持高音质。3、通过静电容量抑制噪音在智能手机的音频线路中，音频编解码器及D级放大器等会产生噪音，对内部造成干扰，导致接收灵敏度劣化。MLCC的静电容量范围较广，为数pF～数F，TVS二极管的静电容量范围为数pF～数10pF，贴片压敏电阻的静电容量范围为数pF～数百pF，音频线路发射的电子噪音以数100MHz～数GHz的频带居多，抑制这些频带的噪音，选择静电容量为数pF～数100pF的贴片压敏电阻更为有效。

压敏电阻的三种电压(1).连续工作电压我们指，允许工作电压（工作控制电压）：此电压分交流和直流两种情况。那说直流的，我们规定出这个工作电压上限主要是为了保证压敏电阻。在电源电路中应用时，有适当的保护。它是一个上限值，电路上的电压在它之下，是对压敏电阻是长期的保障，在他之上，短时也是没问题的（以小时计）。(2).压敏电压或崩溃电压缩写为V1mA=Vv=Varistorvoltage，压敏电压：通过的电流为1mA直流电流时，压敏电阻器两端的电压值。所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。是压敏电阻对电压发生动作的一个指标，高于这个电压的话，压敏电阻会进行拦阻了。压敏电阻插件封装具有多种引线形式：有直脚、弯脚和F脚等其他特殊引线类型。

高电位梯度ZnO压敏电阻的比较大优势是在使用过程中能够在更小的体积小获得更高的保护电压，但是压敏元件的能量吸收能力是以J/cm来衡量的，假设元件的能量吸收能力保持不变，元件体积的减小为原来的二分之一，必然导致元件所能抵挡的浪涌冲击的能量值减少到原来的一半，因此只有在其电位梯度提高的同时提高其能量吸收能力(二者应基本满足同比例增长)，才能保证电位梯度的提高有意义。ZnO压敏电阻片破坏主要是由于电阻片内部微观结构的不均匀性导致电流分布不均匀，电阻片内部产生热应力，使其炸裂和击穿，因此提高微观均匀性是提高电阻片能量耐受密度的根本。10D压敏电阻脚间距一般为7.5mm。热保护压敏电阻MOV保护

压敏电阻的响应时间为ns级。热保护压敏电阻MOV保护

国内压敏电阻应用研究进展：20世纪80年代中期，通过引进技术，我国的ZnO压敏电阻片制造水平得到迅速提高，电位梯度达约18kV/cm，能量吸收能力提高到约100J/cm3(比较高150J/cm。这是我国ZnO压敏电阻片制造水平迅速提高的阶段。随着ZnO压敏电阻片研究的不断深入，逐步将电位梯度提高到近年来的，能量吸收能力也有所提高，逐步满足了500kVMOA的需求，一定程度上满足了GIS-MOA小型化发展的阶段需要。电阻片的残压水平逐步降低，泄漏电流特别是阻性泄漏电流逐步减小，老化荷电率提高，老化特性变好(老化系数KCT接近1，甚至小于1)。由于能量吸收能力提高不多，电阻片规格却越做越大，促进了避雷器心体向单柱式发展。热保护压敏电阻MOV保护