电阻衰减网络可以采用图2中(b)的n形结构,也可以采用T型结构。多阶LC高通滤波器可以获得较好的滤波矩形系数,当滤波器截止频率高于ESD脉冲主能量成分的频率,可以把绝人部分ESD能量滤除,因此在较高频率的高频端口使用LC高通滤波器,可以获得很好的SD防护效果。电阻衰减网络和品通滤波器属于线性无源网络,不存在响应速度的问题,根据高频电路阻抗特征进行优良的四配设计也有利于改善高频接口的驻波性能。为了提高ESD防护效果,ESD防护电路应尽可能靠近高频端口,而被保护器件应尽量远离端口,同时应尽可能地减小并联保护网络的串联寄生电感,如图2(a)中的L1和L2,大的寄生电感将抗拒ESD脉冲电流的快速变化,使ESD电流大部分流入被防护器件。单级防护电路的防护效果不能满足要求时,可以采用防护二极管、滤波器、衰减器等多级级联的防护结构。在选用TVS、开关二极管和R/L/C元件设计ESD防护电路时,要注意选用的元件、特别是R/L/C元件的能量承受能力要足够强,不被ESD脉冲损坏,湖北BNC接口ESD保护元件电压,提高防护电路的可靠性,湖北BNC接口ESD保护元件电压,湖北BNC接口ESD保护元件电压。防静电的四项基本原则一:等电位连接,与敏感器件接触的导体实现等电位连接,避免因导全带静电发生放电。湖北BNC接口ESD保护元件电压
静电可以引起电气绝缘和电子元器件击穿是否正确?这一表述是合理的,工作电压可以做到几万元伏的,假如在电子元器件上边一瞬间的话,便会击穿里边的一些电子器件。火花放电会造成**的,损害医生和病人;在煤矿业,则会造成煤层气,会造成职工伤亡,煤矿损毁。总而言之,静电伤害起因于用电力工程和静电火苗,静电伤害中**明显的是静电充放电造成易燃物的着火和。静电的危害:身体长期性在静电辐射源下,会让人烦躁不安、头疼、胸闷气短、呼吸不畅、干咳。在家庭生活之中,静电不但化纤衣服有,脚底的毛毯、日常的塑胶用品、漆料家具直到各种各样家用电器均很有可能发生静电状况。上海高浪涌ESD保护元件厂家ESD静电保护元件可以做成阵列式,同时保护几路数据线免遭ESD的损坏。
人体放电模型(HBM)是静电放电(ESD)模型的一种,是分析电子元件对静电放电耐受性特性时,**常使用的模型。人体放电模型是模拟带有静电的人碰到电子元件时,在几百纳秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流。对2千伏的ESD放电电压而言,其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33安培。1.HBM:HumanBodyModel,人体模型:该模型表征人体带电接触器件放电,Rb为等效人体电阻,Cb为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件HBM模型的ESD等级。
TVS/ESD静电保护元件阵列,ESD静电保护元器件RLESD保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到ESD的。可提供非常低的电容,与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数(高达1000)之后。该器件可比传统的聚合物SEO器件提供更低的触发电压和更低的箝拉电压,进而改善对敏感电子元件的保护。静电保护元件(ElertroStaticDischargedProtection)简称ESD,是一种过压保护元件,是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。RLESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可提供非常低的电容,具有优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数高达1000之后,进而改善对敏感电子元件的保护。 ESD静电保护元件可提供多种封装形式。
静电放电机器模型MM因在日本得到广泛应用,也叫日本模型。与家具模型不同的是它主要由200pf电容串非常低的电阻(<10Ω)代替通常串联的电阻构成。机器模型的典型**如带电绝缘的机器人手臂、车辆、绝缘导体等。机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似,不同的是带电电容较大。典型的机器模型对小电阻放电的波形,峰值电流可达几百安培,持续时间(决定于放电通路的电感)为几百纳秒。机器放电模型是电子元器件的(HBM/MM/CDM)三个重要放电模型之一,其主要的测试设备为EST883A静电放电模拟器,它是EST883A静电放电模拟器(电子元器件如二极管、三极管和集成电路等人体模型**)的基础上增加了机器模型(MM)。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。北京USB3.0接口ESD保护元件电容
典型的机器模型对小电阻放电的波形, 峰值电流可达几百安培,持续时间决定于放电通路的电感为几百纳秒。湖北BNC接口ESD保护元件电压
SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。当阳极出现PositiveESDPulse时,Nwell/Pwell结发生雪崩击穿,击穿产生的电子电流和空穴电流分别流过电阻RNw和Rpw,使PNP器件和NPN器件开启,阳极的P+注入大量空穴,阴极的N+注入大量电子,注入的空穴成为NPN器件的基极电流,注入的电子成为PNP器件的基极电流,正反馈过程得以形成,使Nwell和Pwell均出现强烈的电导调制效应,继而降低器件两端的压降。因此,SCR器件的维持电压往往很低,并由此导致其抗ESD能力非常强,微分电阻也非常小。在阳极出现NegativeESDPulse时,电流可通过正偏的阴极P+/阳极N+释放。湖北BNC接口ESD保护元件电压
本站提醒: 以上信息由用户在商名网发布,信息的真实性请自行辨别。服务协议 - 信息投诉/删除/联系本站
上海来明电子有限公司 Copyright © 商名网营销建站平台 All Rights Reserved.